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Nitreto de alumínio (AlN)

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A cerâmica de nitreto de alumínio (AlN) apresenta alta condutividade térmica (≥170 W/m·K), excelente isolamento elétrico e baixa expansão térmica, tornando-a ideal para dissipação de calor e encapsulamento eletrônico, especialmente para componentes eletrônicos de alta potência e alta frequência. Assim como outros materiais cerâmicos, apresenta alta dureza, excelente resistência mecânica, resistência à corrosão e estabilidade em altas temperaturas, tornando-a adequada para componentes estruturais em ambientes agressivos.


As cerâmicas de AlN oferecem excelente estabilidade térmica, mantendo suas propriedades acima de 2000 °C em atmosferas inertes. No ar, a oxidação começa aproximadamente a 600–700 °C, formando uma camada protetora de Al2O3 que retarda a oxidação. Essa camada permanece estável até cerca de 1370 °C, mas em temperaturas mais altas, a oxidação pode progredir, potencialmente impactando a integridade do material.



Propriedades


  • Alta dureza e excelente resistência mecânica

  • Excelente resistência a altas temperaturas

  • Expansão térmica semelhante à do silício

  • Condutividade térmica superior

  • Excelente resistência à corrosão

  • Não tóxico e ecológico

  • Alta resistência à ruptura elétrica

  • Baixa constante dielétrica e perda dielétrica mínima


Ficha de dados


Item

Unidade

Parâmetro técnico

Pureza

-

95

Cor

-

Cinza claro

Densidade

g/cm3

≥3,30

Absorção de água

-

0%

Dureza (HV0,5)

-

1130

Módulo de Young

GPA

310-320

Resistência à fratura

Mpa.m1/2

3,5

Resistência à flexão a 25 ℃

MPA

330

Resistência à compressão a 25 ℃

MPA

2100

Condutividade térmica a 25 ℃

Com MK

≥170

Coeficiente de Expansão Térmica

(20~300℃)

10-6/℃

4.7

Resistência ao choque térmico

△℃

400

Temperatura máxima de trabalho

@Ar condicionado

°C

900

Temperatura máxima de trabalho

@Condição de proteção de gás inerte

°C

1800

Ponto de fusão

°C

2500

Rigidez Dielétrica

kV/mm

17

Resistividade volumétrica

Ohm.cm

>1014

Constante dielétrica (1MHz, 25℃)

-

9

Perda Dielétrica (1MHz, 25℃)

-

0,001


Aplicações


  • Módulos de Equipamentos Semicondutores

  • Comunicação Óptica e Módulos de RF

  • Módulos de embalagem LED e laser

  • Módulos de Eletrônica de Potência

  • Componentes de gerenciamento térmico

  • Módulos de micro-ondas e radar de alta frequência

  • Módulos médicos e de detecção


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